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据中国科大发布，在世界顶级的半导体和电子器件技术论坛IEEEIEDM上，中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文成功被大会接收，这也是中国科大首次以第一作者单位在IEEEIEDM上发表论文。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。
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据中国科大发布，在世界顶级的半导体和电子器件技术论坛IEEEIEDM上，中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文成功被大会接收，这也是中国科大首次以第一作者单位在IEEEIEDM上发表论文。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。
